Texas Instruments CSD23202W10

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-UFBGA, DSBGA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

58 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD23202

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

53m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

512pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 4.5V

上升时间

4ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

-6V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

6V

漏源击穿电压

-12V

反馈上限-最大值 (Crss)

37 pF

高度

625μm

长度

0m

宽度

0m

器件厚度

650μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅