Vishay Intertechnologies IRF830STRLPBF

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Number of switching cycles (electrical)

≥100000

Gross weight

119.00

Transport packaging size/quantity

51.5*40.5*33.5/150

Center-to-center distance

36 mm

Maximum voltage

690 V

Mounting hole size

Ø43 mm

Switching scheme

2 positions: NO + NC

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

深度

70 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

Operating temperature range

-25…+55 °C

Rated current

20 A

Hole diameter

3.5 mm

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

74 W

饱和电流

1

触点

screw-clamp

高度

48 mm

宽度

48 mm