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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.350304
10
¥4.10406
100
¥3.871755
500
¥3.652599
1000
¥3.445849
Vishay Intertechnologies IRF9Z34STRLPBF
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- 对比
IRF9Z34STRLPBF
2668-IRF9Z34STRLPBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF9Z34STRLPBF详情
Vishay Intertechnologies IRF9Z34STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
18 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
370 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
88 W
饱和电流
1
IRF9Z34STRLPBF拓展信息
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