IRFBC20
IRFBC20

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies IRFBC20

  • 收藏
  • 对比

型号

IRFBC20

utmel 编号

2668-IRFBC20

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IRFBC20
IRFBC20 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IRFBC20详情

Vishay Intertechnologies IRFBC20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Drain Current-Max (ID)

    2.2 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    2225

  • Case - mm

    5763

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    0.055 g

  • Transport Packaging Size/Qty

    29*21*28/3500

  • Maximum Voltage

    6 V

  • Trip Time

    0.3 s

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±5%

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 电容量

    10nF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 深度

    1.5-1.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 保险丝类型

    Polymeric Positive Temperature Coefficient Resettable Fuse Series SMD1206

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 工作温度范围

    -40...+85 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    4.4 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 保持电流

    1.5 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    50 W

  • 跳闸电流

    3.0 A

  • Operating voltage

    500V

  • 高度

    0.5-1.2 mm

  • 宽度

    3.0-3.5 mm

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies IRFBC20.

IRFBC20拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z