Vishay Intertechnologies SIHG33N60E-GE3

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

Drain Current-Max (ID)

33 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AC

漏极-源极导通最大电阻

0.099 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

793 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

278 W