SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies SISH892BDN-T1-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SISH892BDN-T1-GE3

utmel 编号

2668-SISH892BDN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor,

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor,

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SISH892BDN-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SISH892BDN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • Housing material

    PA66, white

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Gross weight

    5.67

  • Transport packaging size/quantity

    42*28*23.5/1000

  • Noal voltage

    12/24 (DC) Vmin

  • Number of terals

    4, non-insulated blade terminal 6.3min

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    connector (socket) series 70413

  • 端子表面处理

    Pure Matte Tin (Sn) - annealed

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    24.8 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    13.8 (housing) mm

  • 宽度

    27.7 (with flanges); 18.75 (housing) mm

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SISH892BDN-T1-GE3.

SISH892BDN-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z