STMicroelectronics STGD3NB60SDT4

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 3A, 1k Ω, 15V

Turn Off Delay Time

1 μs

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

48W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGD3

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

48W

输入类型

Standard

接通延迟时间

125 μs

晶体管应用

电源控制

上升时间

150μs

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

6A

反向恢复时间

1.7μs

最大击穿电压

600V

接通时间

275 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.5V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

4800 ns

闸门收费

18nC

集极脉冲电流（Icm）

25A

Td（开/关）@25°C

125μs/-

开关能量

1.15mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅