TC7920K6-G
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Microchip Technology TC7920K6-G

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型号

TC7920K6-G

utmel 编号

1610-TC7920K6-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

12-VFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TWO PAIR, N- AND P-CH ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES12 VDFN 4x4x1.0mm T/R

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TC7920K6-G
TC7920K6-G Microchip Technology TWO PAIR, N- AND P-CH ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES12 VDFN 4x4x1.0mm T/R

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TC7920K6-G详情

Microchip Technology TC7920K6-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    12-VFDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    12

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    4

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    12

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    2 N and 2 P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ω @ 1A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    52pF @ 25V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 漏极-源极导通最大电阻

    7Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    200V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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