CSD87588N
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Texas Instruments CSD87588N

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型号

CSD87588N

utmel 编号

2502-CSD87588N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

5-XFLGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

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CSD87588N
CSD87588N Texas Instruments MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

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CSD87588N详情

Texas Instruments CSD87588N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    5-XFLGA

  • 引脚数

    5

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    25A

  • Turn Off Delay Time

    20.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    6W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    CSD87588

  • 模拟 IC - 其他类型

    开关稳压器

  • 元素配置

    Dual

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.6m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.9V @ 250μA

  • 控制技术

    脉宽调制

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    736pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.1nC @ 4.5V

  • 上升时间

    36.7ns

  • 下降时间(典型值)

    6.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    15A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 长度

    5mm

  • 座位高度(最大)

    0.4mm

  • 宽度

    2.5mm

  • 器件厚度

    400μm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Texas Instruments CSD87588N.

右边的3个型号有着和Texas Instruments & CSD87588N相似的参数规格。

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